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IXTA3N50P备选型号: STB5N52K3
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON3.6A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006e3yesObsolete1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)雪崩 额定500V鸥翼未说明3A未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET70WDRAINN-ChannelSWITCHING2 Ω @ 1.8A, 10V5.5V @ 50μA409pF @ 25V9.3nC @ 10V15ns±30V12 ns3.6A30V2Ohm500V8A180 mJ符合RoHS标准无铅-----
MOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH3-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-4.4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH3™---Obsolete1 (Unlimited)-----------Single-70W-N-Channel-1.5 Ω @ 2.2A, 10V4.5V @ 50μA545pF @ 100V17nC @ 10V11ns±30V16 ns4.4A30V-525V--ROHS3 Compliant无铅EAR991.5OhmSTB5N9 ns无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB5N50CFTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK | 对比 |
| STB5N52K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH3 | 对比 |
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