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IXTA6N50D2备选型号: IPB65R065C7ATMA2
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK24 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON6A Tc-55°C~150°C TJTube2011yes活跃1 (Unlimited)2UL 认证SINGLE鸥翼3R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE300WDRAINN-ChannelAMPLIFIER500m Ω @ 3A, 0V2800pF @ 25V96nC @ 5V500V±20V6A0.5Ohm耗尽模式无ROHS3 Compliant无铅--
MOSFET N-CH TO263-318 Weeks-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--33A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)--活跃1 (Unlimited)---------N-Channel-65m Ω @ 17.1A, 10V3020pF @ 400V64nC @ 10V650V±20V----ROHS3 Compliant-CoolMOS™ C74.5V @ 200μA- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB5N50CFTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK | 对比 |
| IPB65R065C7ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
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