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IXTA6N50D2备选型号: STB13N60M2
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 系列
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK24 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON6A Tc-55°C~150°C TJTube2011yes活跃1 (Unlimited)2UL 认证SINGLE鸥翼3R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE300WDRAINN-ChannelAMPLIFIER500m Ω @ 3A, 0V2800pF @ 25V96nC @ 5V500V±20V6A0.5Ohm耗尽模式无ROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON11A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)--活跃1 (Unlimited)2--鸥翼-R-PSSO-G2-110WDRAINN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 5.5A, 10V580pF @ 100V17nC @ 10V600V±25V11A--无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)MDmesh™ II PlusEAR99380mOhmSTB13NSingle增强型MOSFET11 ns4V @ 250μA10ns9.5 ns25V650V44A125 mJ4.6mm10.4mm9.35mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB5N50CFTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK | 对比 |
 | IPB65R065C7ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
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