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IXTA76P10T备选型号: IRFS4410ZTRLPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 元素配置
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2 Tab) TO-263AA17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON76A Tc-55°C~150°C TJTubeTrenchP™2010e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99PURE TIN雪崩 额定SINGLE鸥翼4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET298WDRAINP-ChannelSWITCHING25m Ω @ 500mA, 10V4V @ 250μA13700pF @ 25V197nC @ 10V100V±15V76A15V0.024Ohm无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON97A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier--鸥翼-R-PSSO-G2-增强型MOSFET230WDRAINN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 58A, 10V4V @ 150μA4820pF @ 50V120nC @ 10V-±20V97A---ROHS3 Compliant无铅9MOhm26030IRFS4410不合格Single52ns57 ns100V242 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 对比 |
 | FDB3632 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount | 对比 |
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK | 对比 |
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