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首页 全部分类 IXTH10N100D2 vs SCT10N120

IXTH10N100D2备选型号: SCT10N120

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  • 端子位置
  • 引脚数量
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 基本部件号
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH10N100D2
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 5A, 10V
    5320pF @ 25V
    200nC @ 5V
    1000V
    ±20V
    10A
    1000V
    耗尽模式
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    SCT10N120
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    12A Tc
    -55°C~200°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    690m Ω @ 6A, 20V
    290pF @ 400V
    22nC @ 20V
    1200V
    +25V, -10V
    12A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    SCT10
    3.5V @ 250μA
    无铅
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