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IXTH12N150备选型号: TK14N65W,S1F
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 质量
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET28 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON12A Tc-55°C~150°C TJTube2012活跃1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定SINGLE未说明not_compliant未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET890WDRAINN-ChannelSWITCHING2 Ω @ 6A, 10V4.5V @ 250μA3720pF @ 25V106nC @ 10V1500V±30V12ATO-247AD30V2Ohm40A750 mJROHS3 Compliant----------------
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-22016 Weeks通孔通孔TO-247-3-13.7A Ta150°C TJTube2014活跃1 (Unlimited)------------N-Channel-250mOhm @ 6.9A, 10V3.5V @ 690μA1300pF @ 300V35nC @ 10V650V±30V13.7A-30V---符合RoHS标准3TO-24738.000013gDTMOSIV150°C-55°C1Single60 ns20ns7 ns650V1.3nF220mOhm250 mΩ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW12N150K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Single N-Channel 1500 V 1.9 Ohm 47 nC MDmesh? K5 Power MOSFET - LFPAK-4 | 对比 |
| STW21N150K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1500V 14A TO-247 | 对比 |
| TK14N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 | 对比 |
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