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首页 全部分类 IXTH200N10T vs FDH047AN08A0

IXTH200N10T备选型号: FDH047AN08A0

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTH200N10T
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    200A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMV™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    5.5MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    550W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 50A, 10V
    4.5V @ 250μA
    9400pF @ 25V
    152nC @ 10V
    31ns
    ±30V
    34 ns
    200A
    100V
    500A
    1500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDH047AN08A0
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    15A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    4.7MOhm
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    R-PSFM-T3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    6600pF @ 25V
    138nC @ 10V
    88ns
    ±20V
    45 ns
    15A
    75V
    -
    475 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6.39g
    75V
    80A
    18 ns
    20V
    无
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