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首页 全部分类 IXTH24N50L vs STW20NM50FD

IXTH24N50L备选型号: STW20NM50FD

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTH24N50L
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    230mOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    300m Ω @ 500mA, 20V
    5V @ 250μA
    2500pF @ 25V
    160nC @ 20V
    85ns
    ±30V
    75 ns
    24A
    TO-247AD
    30V
    500V
    50A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW20NM50FD
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    20A Tc
    150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    250mOhm
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    214W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    1380pF @ 25V
    53nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    15 ns
    20A
    -
    30V
    500V
    80A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    3
    9.071847g
    FDmesh™
    EAR99
    500V
    20A
    STW20N
    22 ns
    4V
    700 mJ
    6.35mm
    38.1mm
    19.05mm
    无SVHC
    无
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