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首页 全部分类 IXTH260N055T2 vs IRFP3206PBF

IXTH260N055T2备选型号: IRFP3206PBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 通道数量
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  • 功率耗散
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH260N055T2
    IXYS
    MOSFET N-CH 55V 260A TO-247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    260A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchT2™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    10800pF @ 25V
    140nC @ 10V
    55V
    ±20V
    260A
    TO-247AD
    0.0033Ohm
    780A
    55V
    600 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP3206PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    6540pF @ 50V
    170nC @ 10V
    -
    ±20V
    200A
    TO-247AC
    -
    840A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    3MOhm
    1
    Single
    280W
    19 ns
    82ns
    83 ns
    4V
    20V
    60V
    50 ns
    175°C
    24.99mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    无铅
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