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首页 全部分类 IXTH32P20T vs IRFP250NPBF

IXTH32P20T备选型号: IRFP250NPBF

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 终端
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH32P20T
    IXYS
    MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    14500pF @ 25V
    185nC @ 10V
    200V
    ±15V
    32A
    TO-247AD
    0.13Ohm
    96A
    200V
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP250NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    2159pF @ 25V
    123nC @ 10V
    -
    ±20V
    30A
    TO-247AC
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    e3
    通孔
    75mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    200V
    250
    30A
    30
    Single
    214W
    14 ns
    43ns
    33 ns
    20V
    200V
    200V
    279 ns
    4 V
    20.2946mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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