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IXTH48N15备选型号: IRFP260NPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 系列
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 接通延迟时间
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 150V 48A TO-247通孔通孔TO-247-33SILICON48A Tc-55°C~150°C TJTube2002yes活跃1 (Unlimited)3EAR99未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET180WDRAINN-ChannelSWITCHING32m Ω @ 500mA, 10V3200pF @ 25V140nC @ 10V20ns±20V17 ns48ATO-247AD20V150V192A1000 mJROHS3 Compliant---------------------
Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 50A; TO-247AC; Pd 300W; Vgs /-20V通孔通孔TO-247-33SILICON50A Tc-55°C~175°C TJBulk2004-活跃1 (Unlimited)3EAR9925030--Single增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 28A, 10V4057pF @ 25V234nC @ 10V60ns±20V48 ns50ATO-247AC20V200V200A560 mJROHS3 Compliant12 WeeksHEXFET®e3通孔40mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE200V50A17 ns4V @ 250μA4V200V402 ns4 V20.2946mm15.875mm5.3mm无SVHC无Contains Lead, Lead Free- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP3415PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC | 对比 |
 | TK62N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax | 对比 |
| IRFP3710PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.025 Ohm; Id 57A; TO-247AC; Pd 200W; Vgs /-20V | 对比 |
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