我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IXTH4N150备选型号: IRFP260NPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- 系列
- JESD-609代码
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2473 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON4A Tc-55°C~150°C TJTube2012活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定SINGLE3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING6 Ω @ 2A, 10V5V @ 250μA1576pF @ 25V44.5nC @ 10V1500V±30V4A4A6Ohm12A1500V350 mJROHS3 Compliant-----------------------------
Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 50A; TO-247AC; Pd 300W; Vgs /-20V12 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON50A Tc-55°C~175°C TJBulk2004活跃1 (Unlimited)3AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE-----增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 28A, 10V4V @ 250μA4057pF @ 25V234nC @ 10V-±20V50A--200A-560 mJROHS3 Compliant3HEXFET®e3通孔EAR9940mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier200V25050A30Single300W17 ns60ns48 ns4VTO-247AC20V200V200V402 ns4 V20.2946mm15.875mm5.3mm无SVHC无Contains Lead, Lead Free- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW7N105K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1050V 4A TO-247 | 对比 |
| STW10N105K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1050V 6A TO-247 | 对比 |
| STW12N150K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Single N-Channel 1500 V 1.9 Ohm 47 nC MDmesh? K5 Power MOSFET - LFPAK-4 | 对比 |
哦! 它是空的。