IXYS IXTH4N150

工厂交货时间

3 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

280W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1576pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1500V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

4A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

6Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

1500V

雪崩能量等级（Eas）

350 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant