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IXTH500N04T2备选型号: IKW50N60TFKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
MOSFET N-CH 40V 500A TO-24728 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON500A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchT2™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定SINGLE3R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1kWDRAINN-ChannelSWITCHING1.6m Ω @ 100A, 10V3.5V @ 250μA25000pF @ 25V405nC @ 10V40V±20V500A40V800 mJ无ROHS3 Compliant无铅------------------
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-24726 Weeks-通孔TO-247-3SILICON80A-40°C~175°C TJTubeTrenchStop®2006e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-SINGLE3R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE--COLLECTOR-电源控制----------ROHS3 Compliant-NO未说明未说明不合格Standard333WN-CHANNEL143nsTO-247AC600V60 ns2V @ 15V, 50A396 ns沟渠现场停车310nC150A26ns/299ns2.6mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | INFINEON IKW75N60TIGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |
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