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首页 全部分类 IXTH50N25T vs STW46NF30

IXTH50N25T备选型号: STW46NF30

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 系列
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH50N25T
    IXYS
    MOSFET N-CH 250V 50A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 25A, 10V
    5V @ 1mA
    4000pF @ 25V
    78nC @ 10V
    250V
    ±30V
    50A
    0.05Ohm
    130A
    250V
    1500 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW46NF30
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 300V 42A TO247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    42A Tc
    175°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    75m Ω @ 17A, 10V
    4V @ 250μA
    3200pF @ 25V
    90nC @ 10V
    -
    ±20V
    42A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    3
    STripFET™ II
    STW46N
    Single
    300W
    25 ns
    38ns
    46 ns
    20V
    300V
    无
    无铅
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