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首页 全部分类 IXTH60N25 vs IRFP4232PBF

IXTH60N25备选型号: IRFP4232PBF

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  • 漏源击穿电压
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  • RoHS状态
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  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
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  • 额定电流
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH60N25
    IXYS
    MOSFET N-CH 250V 60A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    46m Ω @ 15A, 10V
    4V @ 250μA
    4400pF @ 25V
    164nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    17 ns
    60A
    TO-247AD
    20V
    0.046Ohm
    250V
    240A
    1500 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP4232PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    60A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Bulk
    2007
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    430W
    -
    N-Channel
    -
    35.7mOhm @ 42A, 10V
    5V @ 250μA
    7290pF @ 25V
    240nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    60A
    -
    30V
    -
    250V
    -
    -
    符合RoHS标准
    TO-247AC
    HEXFET®
    通孔
    35.7MOhm
    175°C
    -40°C
    250V
    60A
    37 ns
    250V
    5V
    250V
    7.29nF
    35.7mOhm
    35.7 mΩ
    5 V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    无铅
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