IXTH62N25T备选型号: IRFP4232PBF
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- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
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- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 250V 62A TO-247通孔通孔TO-247-362A TcTube活跃1 (Unlimited)N-Channel250V62AROHS3 Compliant---------------------------------
- MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC通孔通孔TO-247-360A TcBulkObsolete1 (Unlimited)N-Channel250V60A符合RoHS标准3TO-247AC-40°C~175°C TJHEXFET®2007通孔35.7MOhm175°C-40°C250V60ASingle430W37 ns35.7mOhm @ 42A, 10V5V @ 250μA7290pF @ 25V240nC @ 10V±20V5V30V250V250V7.29nF35.7mOhm35.7 mΩ5 V20.7mm15.87mm5.3086mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFP4229PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET Operating temperature: -40... 175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W | 对比 |
![]() | IRFP4232PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC | 对比 |
![]() | STW46NF30 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 300V 42A TO247 | 对比 |





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