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首页 全部分类 IXTH67N10 vs IRFP3710PBF

IXTH67N10备选型号: IRFP3710PBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 附加功能
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXTH67N10
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
    8 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    100 ns
    MegaMOS™
    2003
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    yes
    不用于新设计
    不适用
    3
    EAR99
    25MOhm
    100V
    67A
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 33.5A, 10V
    4V @ 4mA
    4500pF @ 25V
    260nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    30 ns
    67A
    TO-247AD
    20V
    100V
    268A
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP3710PBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.025 Ohm; Id 57A; TO-247AC; Pd 200W; Vgs /-20V
    12 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    57A Tc
    HEXFET®
    1998
    Bulk
    -55°C~175°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    100V
    57A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    180W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 28A, 10V
    4V @ 250μA
    3000pF @ 25V
    190nC @ 10V
    59ns
    ±20V
    48 ns
    57A
    TO-247AC
    20V
    100V
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    Contains Lead, Lead Free
    通孔
    雪崩 额定
    1
    14 ns
    2V
    0.025Ohm
    100V
    320 ns
    175°C
    4 V
    24.99mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
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