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首页 全部分类 IXTH75N10L2 vs HUF75652G3

IXTH75N10L2备选型号: HUF75652G3

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  • 引脚数量
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTH75N10L2
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Linear L2™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    DRAIN
    N-Channel
    AMPLIFIER
    21m Ω @ 500mA, 10V
    4.5V @ 250μA
    8100pF @ 25V
    215nC @ 10V
    ±20V
    75A
    20V
    0.021Ohm
    100V
    225A
    2500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HUF75652G3
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    515W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    7585pF @ 25V
    475nC @ 20V
    ±20V
    75A
    20V
    -
    100V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    3
    6.39g
    8mOhm
    100V
    75A
    18.5 ns
    195ns
    190 ns
    4V
    4 V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
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