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首页 全部分类 IXTH7P50 vs FCH104N60F

IXTH7P50备选型号: FCH104N60F

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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 接通延迟时间
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTH7P50
    IXYS
    MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    yes
    活跃
    不适用
    3
    1.5Ohm
    雪崩 额定
    -500V
    未说明
    -7A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    180W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 250μA
    3400pF @ 25V
    130nC @ 10V
    27ns
    500V
    ±20V
    35 ns
    7A
    TO-247AD
    20V
    7A
    -500V
    28A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH104N60F
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    37A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    357W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    104m Ω @ 18.5A, 10V
    5V @ 250μA
    5950pF @ 100V
    139nC @ 10V
    58ns
    600V
    ±20V
    20 ns
    37A
    TO-247AB
    5V
    -
    650V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6.39g
    HiPerFET™, Polar™
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    34 ns
    809 mJ
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无
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