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首页 全部分类 IXTH96N20P vs STW75NF20

IXTH96N20P备选型号: STW75NF20

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTH96N20P
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXTH96N20P MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 96 A, 200 V, 24 mohm, 10 V, 5 V
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    96A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    24MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    600W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 250μA
    4800pF @ 25V
    145nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    30 ns
    96A
    5V
    TO-247AD
    20V
    200V
    225A
    1500 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW75NF20
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 200V 75A TO-247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -50°C~150°C TJ
    Tube
    STripFET™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    34MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    34m Ω @ 37A, 10V
    4V @ 250μA
    3260pF @ 25V
    84nC @ 10V
    33ns
    ±20V
    29 ns
    37A
    3V
    TO-247AB
    20V
    200V
    -
    205 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    STW75N
    53 ns
    75A
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
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