IXTJ6N150备选型号: SCT10N120
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 基本部件号
- 无铅
- MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-24724 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON3A Tc-55°C~150°C TJTube2013活跃1 (Unlimited)3AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZEDSINGLER-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING3.85 Ω @ 3A, 10V5V @ 250μA2230pF @ 25V67nC @ 10V1500V±30V3A3A24A1500V500 mJROHS3 Compliant---
- MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3-通孔通孔TO-247-3-12A Tc-55°C~200°C TJTube-活跃1 (Unlimited)-------N-Channel-690m Ω @ 6A, 20V3.5V @ 250μA290pF @ 400V22nC @ 20V1200V+25V, -10V12A----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)SCT10无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STW12N150K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Single N-Channel 1500 V 1.9 Ohm 47 nC MDmesh? K5 Power MOSFET - LFPAK-4 | 对比 |
![]() | STW21N150K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1500V 14A TO-247 | 对比 |
![]() | SCT10N120 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 | 对比 |




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