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首页 全部分类 IXTK120P20T vs 2STA1943

IXTK120P20T备选型号: 2STA1943

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 频率
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTK120P20T
    IXYS
    N-Channel 200 V 30 mOhm Through Hole Power Mosfet - TO-264
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    120A Tc
    Tube
    TrenchP™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    1.04kW
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 60A, 10V
    4.5V @ 250μA
    73000pF @ 25V
    740nC @ 10V
    200V
    120A
    0.03Ohm
    400A
    200V
    3000 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
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    -
    -
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    -
  • STMicroelectronics
    2STA1943
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS 2STA1943Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 30 MHz, 150 W, 8 A, 80
    -
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    230V
    Tube
    -
    -
    Obsolete
    不适用
    3
    EAR99
    -
    150W
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    3
    3V
    150°C TJ
    30MHz
    2STA
    Single
    150W
    30MHz
    PNP
    PNP
    230V
    15A
    80 @ 1A 5V
    5μA ICBO
    3V @ 800mA, 8A
    30MHz
    230V
    5V
    26.4mm
    20.2mm
    5.2mm
    无SVHC
    无
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