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IXTK120P20T备选型号: FDL100N50F
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
N-Channel 200 V 30 mOhm Through Hole Power Mosfet - TO-26428 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON120A TcTubeTrenchP™2013活跃1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定1.04kWSINGLE3R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING30m Ω @ 60A, 10V4.5V @ 250μA73000pF @ 25V740nC @ 10V200V120A0.03Ohm400A200V3000 mJROHS3 Compliant无铅-------------------------
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-264AA Tube8 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON100A TcTubeUniFET™2013活跃1 (Unlimited)3EAR99------增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING55m Ω @ 50A, 10V5V @ 250μA12000pF @ 25V238nC @ 10V-100A0.055Ohm400A-5000 mJROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)36.756g-55°C~150°C TJe3yesTin (Sn)26030不合格1Single2.5kW63 ns186ns±30V105 ns3V30V500V150°C29mm20mm5mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGL40N120ANDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3 Tab) TO-264 Rail | 对比 |
 | 2STA1943 | STMicroelectronics | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-264-3, TO-264AA | STMICROELECTRONICS 2STA1943Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 30 MHz, 150 W, 8 A, 80 | 对比 |
 | NJL1302DG | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-264-5 | Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V | 对比 |
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