IXTK82N25P备选型号: 2STA1943
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最大功率耗散
- 频率
- 基本部件号
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 250V 82A TO-26428 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON1-55°C~150°C TJTube2006PolarHT™e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定未说明未说明3R-PSFM-T3不合格Single增强型MOSFET500WDRAINN-ChannelSWITCHING35m Ω @ 41A, 10V5V @ 250μA4800pF @ 25V142nC @ 10V20ns±20V22 ns82A20V0.035Ohm250V200A1000 mJROHS3 Compliant-----------------------
- STMICROELECTRONICS 2STA1943Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 30 MHz, 150 W, 8 A, 80-通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON230V150°C TJTube----Obsolete不适用3EAR99----3--Single-150W--AMPLIFIER-------------ROHS3 CompliantTin33V150W30MHz2STA30MHzPNPPNP230V15A80 @ 1A 5V5μA ICBO3V @ 800mA, 8A30MHz230V5V26.4mm20.2mm5.2mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGL40N120ANDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3 Tab) TO-264 Rail | 对比 | |
![]() | 2STA1943 | STMicroelectronics | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-264-3, TO-264AA | STMICROELECTRONICS 2STA1943Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 30 MHz, 150 W, 8 A, 80 | 对比 |
| NJL1302DG | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-264-5 | Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V | 对比 |




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