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首页 全部分类 IXTP01N100D vs STP1N105K3

IXTP01N100D备选型号: STP1N105K3

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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 下降时间（典型值）
  • IXYS
    IXTP01N100D
    IXYS
    MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    e3
    yes
    活跃
    不适用
    3
    EAR99
    PURE TIN
    1kV
    4A
    3
    Single
    1.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    110 Ω @ 50mA, 0V
    120pF @ 25V
    6ns
    1000V
    ±20V
    100mA
    TO-220AD
    20V
    1kV
    耗尽模式
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP1N105K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 1050V 8Ohm 1.4A SuperMESH3 MOS
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    1.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    60W
    -
    N-Channel
    -
    11 Ω @ 600mA, 10V
    180pF @ 100V
    7ns
    1050V
    ±30V
    1.4A
    -
    20V
    1.05kV
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SuperMESH3™
    11Ohm
    STP1N
    Single
    6 ns
    4.5V @ 50μA
    13nC @ 10V
    50 ns
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