IXYS IXTP01N100D

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.1W Ta 25W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

PURE TIN

电压 - 额定直流

1kV

额定电流

4A

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

1.1W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110 Ω @ 50mA, 0V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

120pF @ 25V

上升时间

6ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100mA

JEDEC-95代码

TO-220AD

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

1kV

场效应管特性

耗尽模式

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅