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首页 全部分类 IXTP102N15T vs IRFI4228PBF

IXTP102N15T备选型号: IRFI4228PBF

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
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  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTP102N15T
    IXYS
    MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    102A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    PURE TIN
    雪崩 额定
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    455W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 1mA
    5220pF @ 25V
    87nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    22 ns
    102A
    TO-220AB
    20V
    0.018Ohm
    150V
    300A
    750 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFI4228PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    34A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    46W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 20A, 10V
    5V @ 250μA
    4560pF @ 25V
    110nC @ 10V
    -
    ±30V
    -
    34A
    TO-220AB
    30V
    -
    150V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    15 Weeks
    3
    HEXFET®
    16MOhm
    150V
    34A
    9.8mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无
    无铅
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