IXTP10P50P备选型号: FDP8N50NZ
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 接通延迟时间
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET P-CH 500V 10A TO-22017 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON10A Tc-55°C~150°C TJTubePolarP™2009e3yes活跃1 (Unlimited)31OhmMatte Tin (Sn)雪崩 额定3R-PSFM-T3Single增强型MOSFET300WDRAINP-ChannelSWITCHING1 Ω @ 5A, 10V4V @ 250μA2840pF @ 25V50nC @ 10V28ns500V±20V44 ns10ATO-220AB20V-500V30A无ROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET N-CH 500V TO-220AB-36 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON8A Tc-55°C~150°C TJTubeUniFET™2010e3yes活跃1 (Unlimited)3-Tin (Sn)---Single增强型MOSFET130W-N-ChannelSWITCHING850m Ω @ 4A, 10V5V @ 250μA735pF @ 25V18nC @ 10V34ns500V±25V27 ns8ATO-220AB25V---ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)31.8gEAR99未说明未说明不合格17 ns8A0.85Ohm500V9.4mm10.67mm4.83mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220 | 对比 |
![]() | IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | INFINEON - IPP50R299CP - MOSFET, N, TO-220 | 对比 |




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