您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXTP10P50P vs IPP50R299CPXKSA1

IXTP10P50P备选型号: IPP50R299CPXKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXTP10P50P
    IXYS
    MOSFET P-CH 500V 10A TO-220
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarP™
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    1Ohm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    2840pF @ 25V
    50nC @ 10V
    28ns
    500V
    ±20V
    44 ns
    10A
    TO-220AB
    20V
    -500V
    30A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP50R299CPXKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - IPP50R299CP - MOSFET, N, TO-220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    -
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    104W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    299m Ω @ 6.6A, 10V
    3.5V @ 440μA
    1190pF @ 100V
    31nC @ 10V
    14ns
    550V
    ±20V
    12 ns
    12A
    TO-220AB
    20V
    500V
    26A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    35 ns
    无卤素
    500V
    0.299Ohm
    289 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPP50R280CEXKSA1 IPP50R280CEXKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220 对比
IPP50R299CPXKSA1 IPP50R299CPXKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 INFINEON - IPP50R299CP - MOSFET, N, TO-220 对比