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首页 全部分类 IXTP110N055P vs AUIRF1010Z

IXTP110N055P备选型号: AUIRF1010Z

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  • 终止次数
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTP110N055P
    IXYS
    MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    390W
    DRAIN
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 500mA, 10V
    5.5V @ 250μA
    2210pF @ 25V
    76nC @ 10V
    53ns
    ±20V
    45 ns
    110A
    TO-220AB
    20V
    55V
    250A
    1000 mJ
    9.15mm
    10.66mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF1010Z
    Infineon Technologies
    INFINEON AUIRF1010Z MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    260
    30
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    2840pF @ 25V
    95nC @ 10V
    150ns
    -
    92 ns
    94A
    -
    20V
    55V
    -
    -
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    Tin
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    2V
    75A
    0.0075Ohm
    无SVHC
    无
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