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首页 全部分类 IXTP120P065T vs IRFB7740PBF

IXTP120P065T备选型号: IRFB7740PBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXTP120P065T
    IXYS
    MOSFET P-CH 65V 120A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2013
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    298W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 250μA
    13200pF @ 25V
    185nC @ 10V
    28ns
    65V
    ±15V
    21 ns
    120A
    TO-220AB
    15V
    0.12A
    0.01Ohm
    -65V
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB7740PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 87A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    87A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    StrongIRFET™
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    7.3m Ω @ 52A, 10V
    3.7V @ 100μA
    4650pF @ 25V
    122nC @ 10V
    60ns
    -
    ±20V
    45 ns
    87A
    -
    20V
    -
    -
    75V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6.000006g
    1
    12 ns
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
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