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IXTP15N50L2备选型号: STP15NM65N
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
IXYS SEMICONDUCTOR IXTP15N50L2 MOSFET Transistor, LINEAR L2, N Channel, 15 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 2.5 V24 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON15A Tc-55°C~150°C TJTubeLinear L2™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定SINGLE未说明未说明3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING480m Ω @ 7.5A, 10V4.5V @ 250μA4080pF @ 25V123nC @ 10V500V±20V15A2.5VTO-220AB0.48Ohm500V750 mJ2.5 V无SVHCROHS3 Compliant--------------
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220-通孔通孔TO-220-33SILICON12A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II-e3-Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定---3--增强型MOSFET125W-N-ChannelSWITCHING380m Ω @ 6A, 10V4V @ 250μA983pF @ 50V33.3nC @ 10V-±25V12A3VTO-220AB----无SVHCROHS3 Compliant350mOhmSTP15NSingle55.5 ns8ns26 ns25V650V48A15.75mm10.4mm4.6mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP13NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
| STP23NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220 | 对比 |
| STP15NM65N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | 对比 |
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