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首页 全部分类 IXTP160N10T vs FDP047N10

IXTP160N10T备选型号: FDP047N10

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  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 电阻
  • 附加功能
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXTP160N10T
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMV™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    430W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 25A, 10V
    4.5V @ 250μA
    6600pF @ 25V
    132nC @ 10V
    61ns
    ±30V
    42 ns
    160A
    TO-220AB
    0.007Ohm
    100V
    430A
    500 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP047N10
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4.7m Ω @ 75A, 10V
    4.5V @ 250μA
    15265pF @ 25V
    210nC @ 10V
    386ns
    ±20V
    244 ns
    164A
    TO-220AB
    -
    100V
    656A
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    3
    2.421g
    4.7MOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    174 ns
    3.5V
    20V
    15.38mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
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