IXYS IXTP160N10T

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

430W Tc

Turn Off Delay Time

49 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchMV™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

430W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

132nC @ 10V

上升时间

61ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

42 ns

连续放电电流(ID)

160A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.007Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

430A

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅