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IXTP1R4N60P备选型号: SPP02N60C3XKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3 Tab) TO-2202 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON1.4A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006e3yesObsolete1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)雪崩 额定600V未说明1.4A未说明3R-PSFM-T3不合格Single增强型MOSFET50WDRAINN-ChannelSWITCHING9 Ω @ 700mA, 10V5.5V @ 25μA140pF @ 25V5.2nC @ 10V16ns±30V16 ns1.4ATO-220AB30V9Ohm600V75 mJ符合RoHS标准无铅--------------
MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM-通孔-TO-220-1---2005--Obsolete1 (Unlimited)---650V-1.8A----Single-25W-------3ns-12 ns1.8A-20V-600V-符合RoHS标准含铅3150°C-55°C25W6 ns无卤素600V3V600V200pF3Ohm3 Ω3 V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SPP02N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220 | MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM | 对比 |
 | STGP7NC60HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STGP7NC60HD IGBT Single Transistor, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pins | 对比 |
 | SPP04N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB | 对比 |
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