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首页 全部分类 IXTP220N04T2 vs STP120N4F6

IXTP220N04T2备选型号: STP120N4F6

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  • 引脚数量
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTP220N04T2
    IXYS
    MOSFET N-CH 40V 220A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    220A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchT2™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    40V
    Single
    75A
    增强型MOSFET
    360W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    6820pF @ 25V
    112nC @ 10V
    21ns
    ±20V
    21 ns
    220A
    TO-220AB
    20V
    0.0035Ohm
    40V
    600 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP120N4F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.3m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    3850pF @ 25V
    65nC @ 10V
    70ns
    ±20V
    20 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    STP120
    20 ns
    40V
    40V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
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