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首页 全部分类 IXTP2N60P vs STP3NK60Z

IXTP2N60P备选型号: STP3NK60Z

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  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTP2N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Polar™
    2010
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Pure Tin (Sn)
    雪崩 额定
    600V
    未说明
    2A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    55W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.1 Ω @ 1A, 10V
    5V @ 250μA
    240pF @ 25V
    7nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    23 ns
    2A
    TO-220AB
    30V
    2A
    600V
    4A
    150 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP3NK60Z
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    2.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    -
    600V
    -
    2.4A
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6 Ω @ 1.2A, 10V
    4.5V @ 50μA
    311pF @ 25V
    11.8nC @ 10V
    14ns
    ±30V
    14 ns
    2.4A
    TO-220AB
    30V
    -
    600V
    9.6A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    e3
    EAR99
    3.6Ohm
    STP3N
    9 ns
    3.75V
    无SVHC
    无
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