IXTP2N65X2备选型号: TK5A65DA(STA4,Q,M)
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
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- 上升时间
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 最大rds
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- MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-22015 Weeks通孔通孔TO-220-32A Tc-55°C~150°C TJTube2015活跃1 (Unlimited)EAR99未说明not_compliant未说明N-Channel2.3 Ω @ 1A, 10V5V @ 250μA180pF @ 25V4.3nC @ 10V650V±30V2AROHS3 Compliant-----------
- MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220SIS16 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack4.5A Ta150°C TJTube2011活跃1 (Unlimited)----N-Channel1.67Ohm @ 2.3A, 10V4.4V @ 1mA700pF @ 25V16nC @ 10V650V±30V4.5A符合RoHS标准3TO-220SISπ-MOSVII150°C-55°C20ns9 ns30V700pF1.67 Ω无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TK5A65DA(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220SIS | 对比 | |
| TK3A65D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS | 对比 |



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