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IXTP2N80备选型号: FQP2N80
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 接通延迟时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220通孔通孔TO-220-33SILICON2A Tc-55°C~150°C TJTube2003yes活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET54WDRAINN-ChannelSWITCHING6.2 Ω @ 500mA, 10V5.5V @ 250μA440pF @ 25V22nC @ 10V18ns±20V15 ns2ATO-220AB20V2A800V8A200 mJROHS3 Compliant---------------
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220通孔通孔TO-220-33SILICON2.4A Tc-55°C~150°C TJTube2000yes活跃1 (Unlimited)3-----Single增强型MOSFET85W-N-ChannelSWITCHING6.3 Ω @ 1.2A, 10V5V @ 250μA550pF @ 25V15nC @ 10V30ns±30V28 ns2.4ATO-220AB30V-800V9.6A-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)5 Weeks1.8gQFET®e3EAR99Tin (Sn)800V2.4A12 ns9.4mm10.1mm4.7mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQP2N80 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220 | 对比 |
 | SPP15N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220AB | Trans MOSFET N-CH 600V 13.4A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB | 对比 |
| FQP3N80C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series | 对比 |
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