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首页 全部分类 IXTP32N20T vs RCX450N20

IXTP32N20T备选型号: RCX450N20

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 端子位置
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • IXYS
    IXTP32N20T
    IXYS
    MOSFET N-CH 200V 32A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    72m Ω @ 16A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1760pF @ 25V
    38nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    31 ns
    32A
    TO-220AB
    20V
    0.072Ohm
    200V
    64A
    250 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    RCX450N20
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 45A TO220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    45A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 22.5A, 10V
    5V @ 1mA
    4200pF @ 25V
    80nC @ 10V
    -
    ±30V
    -
    45A
    TO-220AB
    -
    0.055Ohm
    -
    180A
    160 mJ
    ROHS3 Compliant
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    200V
    200V
    无铅
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