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首页 全部分类 IXTP32N65X vs IPA65R099C6XKSA1

IXTP32N65X备选型号: IPA65R099C6XKSA1

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  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • IXYS
    IXTP32N65X
    IXYS
    MOSFET N-CH 650V 32A TO-220
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    135m Ω @ 16A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2205pF @ 25V
    54nC @ 10V
    650V
    ±30V
    32A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA65R099C6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 38A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    38A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    99m Ω @ 12.8A, 10V
    3.5V @ 1.2mA
    2780pF @ 100V
    127nC @ 10V
    -
    ±20V
    38A
    符合RoHS标准
    3
    SILICON
    CoolMOS™
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    35W
    ISOLATED
    10.6 ns
    SWITCHING
    无卤素
    9ns
    6 ns
    TO-220AB
    20V
    650V
    0.099Ohm
    845 mJ
    无铅
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