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首页 全部分类 IXTP32P20T vs RCX200N20

IXTP32P20T备选型号: RCX200N20

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  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • IXYS
    IXTP32P20T
    IXYS
    MOSFET P-CH 200V 32A TO-220
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    unknown
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    14500pF @ 25V
    185nC @ 10V
    200V
    ±15V
    32A
    TO-220AB
    0.13Ohm
    96A
    200V
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    RCX200N20
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 20A TO220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    20A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    -
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    SINGLE
    -
    -
    R-PSFM-T3
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 1mA
    1900pF @ 25V
    40nC @ 10V
    200V
    ±30V
    20A
    TO-220AB
    0.0427Ohm
    140A
    200V
    396 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8541.29.00.95
    未说明
    未说明
    70A
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