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首页 全部分类 IXTP3N100D2 vs STP3NK90ZFP

IXTP3N100D2备选型号: STP3NK90ZFP

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  • 端子表面处理
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  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTP3N100D2
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5 Ω @ 1.5A, 0V
    1020pF @ 25V
    37.5nC @ 5V
    1000V
    ±20V
    3A
    TO-220AB
    耗尽模式
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP3NK90ZFP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    245
    -
    3
    -
    -
    -
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    4.8 Ω @ 1.5A, 10V
    590pF @ 25V
    22.7nC @ 10V
    900V
    ±30V
    3A
    TO-220AB
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    SuperMESH™
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    STP3N
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    18 ns
    4.5V @ 50μA
    7ns
    18 ns
    3.75V
    30V
    3A
    900V
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
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