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首页 全部分类 IXTP3N110 vs FQPF4N80

IXTP3N110备选型号: FQPF4N80

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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    IXTP3N110
    IXYS
    MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4 Ω @ 1.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1350pF @ 25V
    42nC @ 10V
    15ns
    1100V
    ±20V
    18 ns
    3A
    TO-220AB
    20V
    3A
    4Ohm
    1.1kV
    12A
    700 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF4N80
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 800V 2.2A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    2.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    43W
    -
    N-Channel
    -
    3.6 Ω @ 1.1A, 10V
    5V @ 250μA
    880pF @ 25V
    25nC @ 10V
    45ns
    -
    ±30V
    35 ns
    2.2A
    -
    30V
    -
    -
    800V
    -
    -
    符合RoHS标准
    3
    QFET®
    800V
    2.2A
    5V
    无SVHC
    无铅
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