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首页 全部分类 IXTP3N50D2 vs STP5N60M2

IXTP3N50D2备选型号: STP5N60M2

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  • 端子位置
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTP3N50D2
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    UL 认证
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    N-Channel
    AMPLIFIER
    1.5 Ω @ 1.5A, 0V
    1070pF @ 25V
    40nC @ 5V
    500V
    ±20V
    3A
    TO-220AB
    耗尽模式
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP5N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    3.7A Tc
    150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 1.85A, 10V
    165pF @ 100V
    4.5nC @ 10V
    -
    ±25V
    3.7A
    TO-220AB
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    329.988449mg
    MDmesh™ II Plus
    EAR99
    STP5N
    1
    Single
    增强型MOSFET
    11.8 ns
    4V @ 250μA
    25V
    600V
    80 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
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