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IXTP3N60P备选型号: FCP4N60
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 终端
- 电阻
- 接通延迟时间
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
IXYS SEMICONDUCTOR IXTP3N60P Power MOSFET, N Channel, 3 A, 600 V, 2.9 ohm, 10 V, 5.5 V8 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON3A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2004e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定600V未说明3A未说明3不合格Single增强型MOSFET70WDRAINN-ChannelSWITCHING2.9 Ω @ 500mA, 10V5.5V @ 50μA411pF @ 25V9.8nC @ 10V25ns±30V22 ns3A5.5VTO-220AB30V3A600V6A100 mJ无SVHC符合RoHS标准无铅----------
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-22012 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON3.9A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET™2004e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)--未说明-未说明-不合格Single增强型MOSFET50mW-N-ChannelSWITCHING1.2 Ω @ 2A, 10V5V @ 250μA540pF @ 25V16.6nC @ 10V45ns±30V30 ns3.9A5VTO-220AB30V-600V--无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)1.8g通孔1.2Ohm16 ns600V5 V16.51mm10.67mm4.83mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FCP4N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220 | 对比 |
 | STP3NK60Z | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
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