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首页 全部分类 IXTP450P2 vs FDP19N40

IXTP450P2备选型号: FDP19N40

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • IXYS
    IXTP450P2
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarP2™
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    330m Ω @ 8A, 10V
    4.5V @ 250μA
    2530pF @ 25V
    43nC @ 10V
    ±30V
    16A
    TO-220AB
    30V
    500V
    750 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP19N40
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    215W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    240m Ω @ 9.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2115pF @ 25V
    40nC @ 10V
    ±30V
    19A
    TO-220AB
    30V
    400V
    542 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    e3
    EAR99
    240MOhm
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    不合格
    31 ns
    70ns
    49 ns
    76A
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