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首页 全部分类 IXTP48P05T vs FDPF55N06

IXTP48P05T备选型号: FDPF55N06

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  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTP48P05T
    IXYS
    MOSFET P-CH 50V 48A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    48A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    unknown
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 24A, 10V
    4.5V @ 250μA
    3660pF @ 25V
    53nC @ 10V
    50V
    ±15V
    48A
    TO-220AB
    0.03Ohm
    150A
    50V
    300 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF55N06
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    55A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 27.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1510pF @ 25V
    37nC @ 10V
    -
    ±25V
    55A
    TO-220AB
    0.022Ohm
    220A
    -
    480 mJ
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    3
    2.27g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    Single
    48W
    30 ns
    130ns
    95 ns
    25V
    60V
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无
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