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首页 全部分类 IXTP4N80P vs FQP4N90C

IXTP4N80P备选型号: FQP4N90C

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXTP4N80P
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXTP4N80P Power MOSFET, N Channel, 4 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 5.5 V
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    3.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.4 Ω @ 500mA, 10V
    5.5V @ 100μA
    750pF @ 25V
    14.2nC @ 10V
    24ns
    ±30V
    29 ns
    3.6A
    5.5V
    TO-220AB
    30V
    800V
    8A
    250 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP4N90C
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    960pF @ 25V
    22nC @ 10V
    50ns
    ±30V
    35 ns
    4A
    5V
    TO-220AB
    30V
    900V
    -
    570 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    Tin
    1.8g
    900V
    4A
    25 ns
    4A
    9.2mm
    9.9mm
    4.5mm
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